RGTH00TS65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RGTH00TS65D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RGTH00TS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGTH00TS65D даташит

 ..1. Size:740K  rohm
 rgth00ts65d.pdf pdf_icon

RGTH00TS65D

RGTH00TS65D 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui

 4.1. Size:657K  rohm
 rgth00ts65.pdf pdf_icon

RGTH00TS65D

RGTH00TS65 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica

Другие IGBT... RGT40NS65D, RGT40TS65D, RGT50TS65D, RGT60TS65D, RGT80TS65D, RGT8BM65D, RGT8NS65D, RGTH00TS65, IRG4PF50W, RGTH40TS65, RGTH40TS65D, RGTH50TS65, RGTH50TS65D, RGTH60TS65, RGTH60TS65D, RGTH80TS65, RGTH80TS65D