RGTH00TS65D - аналоги и описание IGBT

 

RGTH00TS65D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: RGTH00TS65D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RGTH00TS65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры RGTH00TS65D

 ..1. Size:740K  rohm
 rgth00ts65d.pdf pdf_icon

RGTH00TS65D

RGTH00TS65D 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui

 4.1. Size:657K  rohm
 rgth00ts65.pdf pdf_icon

RGTH00TS65D

RGTH00TS65 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica

Другие IGBT... RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , GT30F132 , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D .

History: BSM200GA120DLCS

 

 
Back to Top

 


 
.