Справочник IGBT. RGTH50TS65D

 

RGTH50TS65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGTH50TS65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 57 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 49 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RGTH50TS65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGTH50TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  rohm
 rgth50ts65d.pdf pdf_icon

RGTH50TS65D

RGTH50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui

 4.1. Size:645K  rohm
 rgth50ts65.pdf pdf_icon

RGTH50TS65D

RGTH50TS65 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica

Другие IGBT... RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , GT30F124 , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP .

History: NTE3323

 

 
Back to Top

 


 
.