Справочник IGBT. HIL40N120VF

 

HIL40N120VF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIL40N120VF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 295 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 225 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для HIL40N120VF

 

 

HIL40N120VF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  semihow
 hil40n120vf.pdf

HIL40N120VF HIL40N120VF

Jan 2014VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120VF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264Employing Field Stop technology, CO-PAK, IGBT with FRD.1200V/40A planar gate IGBTs provide low Conduction,switching losses and very good ruggedness. ApplicationsG C EInduction Heating, UPS, welding convertersand general purpose inverters. Absolute Maximum RatingsSymbol P

 5.1. Size:909K  semihow
 hil40n120tf.pdf

HIL40N120VF HIL40N120VF

Dec 2013VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology High Speed SwitchingG C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Conti

Другие IGBT... RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , RJP30E2DPP-M0 , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG , APT13GP120BDQ1G , APT150GN120JDQ4 , APT150GT120JR , APT15GN120KG , APT15GP60BG .

 

 
Back to Top