APT50GP60B2DQ2G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: APT50GP60B2DQ2G  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 465 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для APT50GP60B2DQ2G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT50GP60B2DQ2G даташит

 0.1. Size:425K  apt
 apt50gp60b2dq2g.pdf pdf_icon

APT50GP60B2DQ2G

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT50GP60B2DQ2(G) 600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. (B2) POWER MOS 7 IGBT T-Max The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for

 2.1. Size:196K  apt
 apt50gp60b2df2.pdf pdf_icon

APT50GP60B2DQ2G

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT50GP60B2DF2 APT50GP60B2DF2 600V POWER MOS 7 IGBT T-MaxTM The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. G C E Low Conduction Loss 200 kH

 4.1. Size:88K  apt
 apt50gp60b.pdf pdf_icon

APT50GP60B2DQ2G

 4.2. Size:96K  apt
 apt50gp60bg.pdf pdf_icon

APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B APT50GP60S 600V POWER MOS 7 IGBT TO-247 D3PAK The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency G C C E G E switchmode power supplies. Low Conduction Loss 200 kHz operation @ 400V, 26

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT35GP120B2DQ2G, APT40GR120B, APT40GR120S, APT44GA60BD30C, APT44GA60SD30C, APT50GF120B2RG, APT50GF120JRDQ3, APT50GF120LRG, RJH30E2DPP, APT50GP60LDLG, APT50GT120B2RDLG, APT50GT120LRDQ2G, APT65GP60B2G, APT65GP60JDQ2, APT75GN120JDQ3, APT75GN60BDQ2G, APT75GN60LDQ3G