SKM150GB12T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKM150GB12T4G  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 223 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 580 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKM150GB12T4G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM150GB12T4G даташит

 ..1. Size:401K  semikron
 skm150gb12t4g.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12T4G Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 223 A Tj = 175 C Tc =80 C 172 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 183 A Tj = 175 C SKM150GB12T4G Tc =80

 2.1. Size:457K  semikron
 skm150gb12t4.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 232 A Tj = 175 C Tc =80 C 179 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12T4 Tc =80 C

 4.1. Size:142K  semikron
 skm150gb125d.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Ultra Fast IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 150 GB 125 D IC Tcase = 25/80 C 150 / 100 4) A ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 300 / 200 4) A Preliminary Data 5) VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1040 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 400

 4.2. Size:491K  semikron
 skm150gb12v.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 231 A Tj = 175 C Tc =80 C 176 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12V Tc =80 C 141 A IFnom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM100GB176D, SKM145GAL176D, SKM145GB066D, SKM145GB176D, SKM150GAL12T4, SKM150GAL12V, SKM150GAR12T4, SKM150GB12T4, XNF15N60T, SKM150GB12V, SKM150GB12VG, SKM150GM12T4G, SML50HB06, SPM1001, SPM1002, SPM1003, SPM1004