SKM150GB12T4G - аналоги и описание IGBT

 

SKM150GB12T4G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: SKM150GB12T4G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 223 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 580 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM150GB12T4G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры SKM150GB12T4G

 ..1. Size:401K  semikron
 skm150gb12t4g.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12T4G Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 223 A Tj = 175 C Tc =80 C 172 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 183 A Tj = 175 C SKM150GB12T4G Tc =80

 2.1. Size:457K  semikron
 skm150gb12t4.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 232 A Tj = 175 C Tc =80 C 179 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12T4 Tc =80 C

 4.1. Size:142K  semikron
 skm150gb125d.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Ultra Fast IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 150 GB 125 D IC Tcase = 25/80 C 150 / 100 4) A ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 300 / 200 4) A Preliminary Data 5) VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1040 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 400

 4.2. Size:491K  semikron
 skm150gb12v.pdf pdf_icon

SKM150GB12T4G

SKM150GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 231 A Tj = 175 C Tc =80 C 176 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12V Tc =80 C 141 A IFnom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM100GB176D , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , MGD623S , SKM150GB12V , SKM150GB12VG , SKM150GM12T4G , SML50HB06 , SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 .

 

 
Back to Top

 


 
.