VS-150MT060WDF - аналоги и описание IGBT

 

VS-150MT060WDF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-150MT060WDF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 138 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.11 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1010 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-150MT060WDF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-150MT060WDF даташит

 ..1. Size:184K  vishay
 vs-150mt060wdf.pdf pdf_icon

VS-150MT060WDF

VS-150MT060WDF www.vishay.com Vishay Semiconductors MTP IGBT Power Module Primary Dual Forward FEATURES Buck PFC stage with warp 3 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Ultrafast switching IGBT Designed and qualified for industrial level MTP Material categor

Другие IGBT... SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , IRGB20B60PD1 , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.