Справочник IGBT. VS-150MT060WDF

 

VS-150MT060WDF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-150MT060WDF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 543
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 138
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.11
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 79
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1010
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 540
   Тип корпуса: MTP

 Аналог (замена) для VS-150MT060WDF

 

 

VS-150MT060WDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  vishay
 vs-150mt060wdf.pdf

VS-150MT060WDF VS-150MT060WDF

VS-150MT060WDFwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power ModulePrimary Dual ForwardFEATURES Buck PFC stage with warp 3 IGBT and FRED Pthyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Ultrafast switching IGBT Designed and qualified for industrial levelMTP Material categor

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top