Справочник IGBT. HYG15P120A1K1

 

HYG15P120A1K1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HYG15P120A1K1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для HYG15P120A1K1

 

 

HYG15P120A1K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  hy
 hyg15p120a1k1.pdf

HYG15P120A1K1 HYG15P120A1K1

 2.1. Size:691K  hy
 hyg15p120a1k2.pdf

HYG15P120A1K1 HYG15P120A1K1

 5.1. Size:893K  hy
 hyg15p120h1k1.pdf

HYG15P120A1K1 HYG15P120A1K1

HYG15P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 175 Temperature sense included Industry standard package with solderingpins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive ampli

 5.2. Size:937K  hy
 hyg15p120b1k1.pdf

HYG15P120A1K1 HYG15P120A1K1

Другие IGBT... DM2G200SH12AE , DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , RJP30H1DPD , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 .

 

 
Back to Top