Справочник IGBT. HYG15P120A1K2

 

HYG15P120A1K2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HYG15P120A1K2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для HYG15P120A1K2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HYG15P120A1K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  hy
 hyg15p120a1k2.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

 2.1. Size:688K  hy
 hyg15p120a1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

 5.1. Size:893K  hy
 hyg15p120h1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

HYG15P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 175 Temperature sense included Industry standard package with solderingpins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive ampli

 5.2. Size:937K  hy
 hyg15p120b1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , FGA25N120ANTD , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 .

 

 
Back to Top

 


 
.