HYG15P120A1K2 - аналоги и описание IGBT

 

HYG15P120A1K2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HYG15P120A1K2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для HYG15P120A1K2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HYG15P120A1K2 даташит

 ..1. Size:691K  hy
 hyg15p120a1k2.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

 2.1. Size:688K  hy
 hyg15p120a1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

 5.1. Size:893K  hy
 hyg15p120h1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

HYG15P120H1K1 IGBT Module F Features Low VCE sat trench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 175 Temperature sense included Industry standard package with soldering pins for PCB mounting Typical Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive ampli

 5.2. Size:937K  hy
 hyg15p120b1k1.pdf pdf_icon

HYG15P120A1K2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , RJP30E2DPP-M0 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.