HYG15P120A1K2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HYG15P120A1K2

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 40

Корпус: MODULE

Аналог (замена) для HYG15P120A1K2

HYG15P120A1K2 Datasheet (PDF)

1.1. hyg15p120a1k1.pdf Size:688K _igbt_a



1.2. hyg15p120h1k1.pdf Size:893K _igbt_a

HYG15P120H1K1 IGBT Module F Features  Low VCE（sat）trench IGBT  Low switching losses  10us short circuit capability  Fast & soft reverse recovery FRD  Maximum junction temperature 175℃  Temperature sense included  Industry standard package with soldering pins for PCB mounting Typical Applications  Inverter for motor drive  AC and DC servo drive ampli

 1.3. hyg15p120b1k1.pdf Size:937K _igbt_a



1.4. hyg15p120a1k2.pdf Size:691K _igbt_a



Другие IGBT... DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , HGTG30N60A4 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 .