HYG15P120H1K1 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

HYG15P120H1K1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: HYG15P120H1K1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для HYG15P120H1K1

HYG15P120H1K1 Datasheet (PDF)

..1. Size:893K hy
hyg15p120h1k1.pdf

HYG15P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 175 Temperature sense included Industry standard package with solderingpins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive ampli

5.1. Size:691K hy
hyg15p120a1k2.pdf