Справочник IGBT. IXYH40N120C3D1

 

IXYH40N120C3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH40N120C3D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 225 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH40N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  ixys
 ixyh40n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC90 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGE

 2.1. Size:252K  ixys
 ixyh40n120c3.pdf pdf_icon

IXYH40N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120C3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transien

 4.1. Size:231K  ixys
 ixyh40n120b3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC

 4.2. Size:215K  ixys
 ixyh40n120b3.pdf pdf_icon

IXYH40N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120B3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsGC TabVCES TJ = 25C to 175C 1200 V EVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VG = Gate C = CollectorVGES Continuous 20 VE = Emitter Tab = C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IXYR100N120C3 , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IXYH40N120C3 , YGW40N65F1 , IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T , SG15N12DP .

History: BLG60T65FDK-K | MSG40T120FQC | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.