IXYH50N120C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH50N120C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYH50N120C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH50N120C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH50N120C3D1 даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 ixyh50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH50N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC100 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VG

 2.1. Size:210K  ixys
 ixyh50n120c3.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH50N120C3 GenX3TM IC110 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 10

 7.1. Size:251K  ixys
 ixyh50n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH50N65C3H1 GenX3TM w/ Sonic IC110 = 50A Diode VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1

 7.2. Size:271K  ixys
 ixyh50n65c3.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA50N65C3 GenX3TM IC110 = 50A IXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3 tfi(typ) = 26ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IXYR100N120C3 , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IXYH40N120C3 , IXYH40N120C3D1 , FGPF4633 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T , SG15N12DP , SG15N12P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.