Справочник IGBT. IXYH50N120C3D1

 

IXYH50N120C3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH50N120C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH50N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixyh50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH50N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC100 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVG

 2.1. Size:210K  ixys
 ixyh50n120c3.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH50N120C3GenX3TM IC110 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capability) 10

 7.1. Size:251K  ixys
 ixyh50n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH50N65C3H1GenX3TM w/ Sonic IC110 = 50ADiode VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 27nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1

 7.2. Size:271K  ixys
 ixyh50n65c3.pdf pdf_icon

IXYH50N120C3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA50N65C3GenX3TM IC110 = 50AIXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG150HB060B6EN | CM75DY-28H | VS-GT400TH120N | GT50L101 | APT15GT60BRG | RGT8BM65D | IXGH48N60A3

 

 
Back to Top

 


 
.