Справочник IGBT. SG12N06P

 

SG12N06P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SG12N06P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SG12N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  sirectifier
 sg12n06p.pdf pdf_icon

SG12N06P

SG12N06P, SG12N06DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM

 7.1. Size:101K  sirectifier
 sg12n06dt.pdf pdf_icon

SG12N06P

SG12N06T, SG12N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 7.2. Size:101K  sirectifier
 sg12n06t.pdf pdf_icon

SG12N06P

SG12N06T, SG12N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 7.3. Size:191K  sirectifier
 sg12n06dp.pdf pdf_icon

SG12N06P

SG12N06P, SG12N06DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: 2MBI300NB-060 | STGW35NB60SD | APTGF100A120T | BRG10N120D | MGB15N40CL | AOTF5B65M1 | IXGH10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.