SG15N12P - аналоги и описание IGBT

 

SG15N12P - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SG15N12P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для SG15N12P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SG15N12P даташит

 ..1. Size:166K  sirectifier
 sg15n12p.pdf pdf_icon

SG15N12P

SG15N12P, SG15N12DP Discrete IGBTs Dimensions TO-220AB Dim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max. A 0.500 0.550 12.70 13.97 E B 0.580 0.630 14.73 16.00 C C 0.390 0.420 9.91 10.66 G D 0.139 0.161 3.54 4.08 E 0.230 0.270 5.85 6.85 G=Gate, C=Collector, E=Emitter F 0.100 0.125 2.54 3.18 G 0.045 0.065 1.15 1.65 H 0.110 0.230 2.79 5.84 J 0.025 0.040 0.64 1.01 K 0.100 BSC 2.54 BSC M

 7.1. Size:426K  taiwansemi
 tsg15n120cn.pdf pdf_icon

SG15N12P

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 7.2. Size:444K  taiwansemi
 tsg15n120.pdf pdf_icon

SG15N12P

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 7.3. Size:166K  sirectifier
 sg15n12dp.pdf pdf_icon

SG15N12P

SG15N12P, SG15N12DP Discrete IGBTs Dimensions TO-220AB Dim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max. A 0.500 0.550 12.70 13.97 E B 0.580 0.630 14.73 16.00 C C 0.390 0.420 9.91 10.66 G D 0.139 0.161 3.54 4.08 E 0.230 0.270 5.85 6.85 G=Gate, C=Collector, E=Emitter F 0.100 0.125 2.54 3.18 G 0.045 0.065 1.15 1.65 H 0.110 0.230 2.79 5.84 J 0.025 0.040 0.64 1.01 K 0.100 BSC 2.54 BSC M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T , SG15N12DP , IKW50N60H3 , SG200N06S , SG20N12DT , SG20N12T , SG23N06DT , SG23N06T , SG25S12DT , SG25S12T , SG35N12DT .

History: SGW50N60HS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.