Справочник IGBT. SG15N12P

 

SG15N12P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SG15N12P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 69 nC
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для SG15N12P

 

 

SG15N12P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  sirectifier
 sg15n12p.pdf

SG15N12P SG15N12P

SG15N12P, SG15N12DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM

 7.1. Size:426K  taiwansemi
 tsg15n120cn.pdf

SG15N12P SG15N12P

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 7.2. Size:444K  taiwansemi
 tsg15n120.pdf

SG15N12P SG15N12P

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 7.3. Size:166K  sirectifier
 sg15n12dp.pdf

SG15N12P SG15N12P

SG15N12P, SG15N12DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM

Другие IGBT... IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T , SG15N12DP , IKW50N60H3 , SG200N06S , SG20N12DT , SG20N12T , SG23N06DT , SG23N06T , SG25S12DT , SG25S12T , SG35N12DT .

 

 
Back to Top