Справочник IGBT. SG25S12DT

 

SG25S12DT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SG25S12DT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 46 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.35 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247AD
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SG25S12DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  sirectifier
 sg25s12dt.pdf pdf_icon

SG25S12DT

SG25S12T, SG25S12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 7.1. Size:104K  sirectifier
 sg25s12t.pdf pdf_icon

SG25S12DT

SG25S12T, SG25S12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

Другие IGBT... SG12N06T , SG15N12DP , SG15N12P , SG200N06S , SG20N12DT , SG20N12T , SG23N06DT , SG23N06T , TGD30N40P , SG25S12T , SG35N12DT , SG35N12T , SG45N12T , SG50N06D2S , SG50N06D3S , SG50N06DS , SG50N06DT .

History: SGP23N60UFD | IRG4BC30F | STGW40N120KD | OM6526SA | IXSN35N120AU1 | IXGH28N90B | SII150N12

 

 
Back to Top

 


 
.