Справочник IGBT. SG50N06DS

 

SG50N06DS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SG50N06DS
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для SG50N06DS

 

 

SG50N06DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  sirectifier
 sg50n06ds.pdf

SG50N06DS SG50N06DS

SG50N06S, SG50N06DSDiscrete IGBTsC Dim. Millimeter InchesEDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169G=Gate, C=Collector, F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193E=EmitterH 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0

 6.1. Size:101K  sirectifier
 sg50n06dt.pdf

SG50N06DS SG50N06DS

SG50N06T, SG50N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 6.2. Size:149K  sirectifier
 sg50n06d2s.pdf

SG50N06DS SG50N06DS

SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033

 6.3. Size:149K  sirectifier
 sg50n06d3s.pdf

SG50N06DS SG50N06DS

SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033

Другие IGBT... SG23N06T , SG25S12DT , SG25S12T , SG35N12DT , SG35N12T , SG45N12T , SG50N06D2S , SG50N06D3S , MBQ50T65FESC , SG50N06DT , SG50N06S , SG50N06T , SG75S12S , SG7N06DP , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX .

 

 
Back to Top