Справочник IGBT. VS-GT100LA120UX

 

VS-GT100LA120UX Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GT100LA120UX
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.36 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 259 nS
   Тип корпуса: SOT-227
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GT100LA120UX Datasheet (PDF)

 0.1. Size:172K  vishay
vs-gt100la120ux.pdfpdf_icon

VS-GT100LA120UX

VS-GT100LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

 6.1. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

VS-GT100LA120UX

VS-GT100TP60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 AFEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 6.2. Size:184K  vishay
vs-gt100tp120n.pdfpdf_icon

VS-GT100LA120UX

VS-GT100TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 AFEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

 6.3. Size:172K  vishay
vs-gt100na120ux.pdfpdf_icon

VS-GT100LA120UX

VS-GT100NA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsHigh Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: 6MBP20RH060 | IXGA48N60C3 | IXBX28N300HV | KGT25N135KDH | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | BSM300GB120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.