VS-GT100NA120UX Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GT100NA120UX
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.36 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 259 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
Тип корпуса: SOT-227
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GT100NA120UX Datasheet (PDF)
vs-gt100na120ux.pdf

VS-GT100NA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsHigh Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved
vs-gt100tp60n.pdf

VS-GT100TP60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 AFEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (
vs-gt100tp120n.pdf

VS-GT100TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 AFEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using
vs-gt100la120ux.pdf

VS-GT100LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved
Другие IGBT... SG50N06DT , SG50N06S , SG50N06T , SG75S12S , SG7N06DP , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX , FGH75T65UPD , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , VS-GT105LA120UX , VS-GT105NA120UX , VS-GT140DA60U , VS-GT175DA120U , VS-GT300FD060N , VS-GT300YH120N .
History: SG35N12T
History: SG35N12T



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213