Справочник IGBT. VS-GT100NA120UX

 

VS-GT100NA120UX Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GT100NA120UX
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.36 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 259 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: SOT-227
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GT100NA120UX Datasheet (PDF)

 0.1. Size:172K  vishay
vs-gt100na120ux.pdfpdf_icon

VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsHigh Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

 6.1. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

VS-GT100NA120UX

VS-GT100TP60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 AFEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 6.2. Size:184K  vishay
vs-gt100tp120n.pdfpdf_icon

VS-GT100NA120UX

VS-GT100TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 AFEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

 6.3. Size:172K  vishay
vs-gt100la120ux.pdfpdf_icon

VS-GT100NA120UX

VS-GT100LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

Другие IGBT... SG50N06DT , SG50N06S , SG50N06T , SG75S12S , SG7N06DP , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX , FGH75T65UPD , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , VS-GT105LA120UX , VS-GT105NA120UX , VS-GT140DA60U , VS-GT175DA120U , VS-GT300FD060N , VS-GT300YH120N .

History: SG35N12T

 

 
Back to Top

 


 
.