VS-GT105LA120UX - аналоги и описание IGBT

 

VS-GT105LA120UX - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GT105LA120UX

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Тип корпуса: SOT-227

 Аналог (замена) для VS-GT105LA120UX

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GT105LA120UX даташит

 0.1. Size:154K  vishay
 vs-gt105la120ux.pdf pdf_icon

VS-GT105LA120UX

VS-GT105LA120UX www.vishay.com Vishay Semiconductors "Low Side Chopper" IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A FEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated package Speed 4 kHz to 30 kHz SOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard ou

 6.1. Size:153K  vishay
 vs-gt105na120ux.pdf pdf_icon

VS-GT105LA120UX

VS-GT105NA120UX www.vishay.com Vishay Semiconductors "High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A FEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated package SOT-227 Speed 4 kHz to 30 kHz Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard ou

 7.1. Size:181K  vishay
 vs-gt100tp60n.pdf pdf_icon

VS-GT105LA120UX

VS-GT100TP60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A FEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 7.2. Size:184K  vishay
 vs-gt100tp120n.pdf pdf_icon

VS-GT105LA120UX

VS-GT100TP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 A FEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SG75S12S , SG7N06DP , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX , VS-GT100NA120UX , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , STGW60V60DF , VS-GT105NA120UX , VS-GT140DA60U , VS-GT175DA120U , VS-GT300FD060N , VS-GT300YH120N , VS-GT400TH120N , VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.