VS-GT300FD060N - аналоги и описание IGBT

 

VS-GT300FD060N - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GT300FD060N

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 792 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 288 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.72 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1700 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GT300FD060N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GT300FD060N даташит

 ..1. Size:163K  vishay
vs-gt300fd060n.pdfpdf_icon

VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N www.vishay.com Vishay Semiconductors DIAP Low Profile 3-Levels Half Bridge Inverter Stage, 300 A FEATURES Trench plus Field Stop IGBT technology FRED Pt antiparallel and clamping diodes Short circuit capability Low stray internal inductances Low switching loss UL approved file E78996 Material categorization for definitions of compliance

 6.1. Size:189K  vishay
vs-gt300yh120n.pdfpdf_icon

VS-GT300FD060N

VS-GT300YH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology FEATURES Trench IGBT technology with positive temperature coefficient Low switching losses Maximum junction temperature 150 C 10 s short circuit capability Low inductance case Double INT-A-PAK HEXFRED antiparallel and series

 9.1. Size:1021K  vishay
vs-gt50tp60n.pdfpdf_icon

VS-GT300FD060N

VS-GT50TP60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 50 A FEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Di

 9.2. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

VS-GT300FD060N

VS-GT100TP60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A FEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

Другие IGBT... VS-GT100LA120UX , VS-GT100NA120UX , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , VS-GT105LA120UX , VS-GT105NA120UX , VS-GT140DA60U , VS-GT175DA120U , TGD30N40P , VS-GT300YH120N , VS-GT400TH120N , VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N , VS-GT50TP120N , VS-GT50TP60N , VS-GT75NP120N , DL2G100SH6A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.