DL2G100SH6A - аналоги и описание IGBT

 

DL2G100SH6A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DL2G100SH6A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 950 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DL2G100SH6A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DL2G100SH6A даташит

 ..1. Size:635K  dawin
dl2g100sh6a.pdfpdf_icon

DL2G100SH6A

D WTM D WTM DL2G100SH6A DAWIN Electronics DAWIN Electronics Apr. 2008 High Power NPT & Lugged Type Dual Co-pack IGBT Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters

 4.1. Size:687K  dawin
dl2g100sh6n.pdfpdf_icon

DL2G100SH6A

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G100SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and o

Другие IGBT... VS-GT300FD060N , VS-GT300YH120N , VS-GT400TH120N , VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N , VS-GT50TP120N , VS-GT50TP60N , VS-GT75NP120N , GT30J122 , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , DM1GL75SH12A .

History: DAHF150G120SA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.