Справочник IGBT. DL2G100SH6A

 

DL2G100SH6A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DL2G100SH6A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 950 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DL2G100SH6A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DL2G100SH6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  dawin
 dl2g100sh6a.pdf pdf_icon

DL2G100SH6A

D WTMD WTMDL2G100SH6ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsApr. 2008High Power NPT & Lugged Type Dual Co-pack IGBTDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters

 4.1. Size:687K  dawin
 dl2g100sh6n.pdf pdf_icon

DL2G100SH6A

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G100SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and o

Другие IGBT... VS-GT300FD060N , VS-GT300YH120N , VS-GT400TH120N , VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N , VS-GT50TP120N , VS-GT50TP60N , VS-GT75NP120N , MBQ50T65FESC , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , DM1GL75SH12A .

History: AP20GT60ASI-HF | F3L25R12W1T4-B27 | IGU04N60T | IXGA12N60B | F3L300R12ME4-B22 | IXSM40N60A

 

 
Back to Top

 


 
.