Справочник IGBT. DL2G100SH6N

 

DL2G100SH6N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DL2G100SH6N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 445 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 950 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DL2G100SH6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  dawin
dl2g100sh6n.pdfpdf_icon

DL2G100SH6N

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G100SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and o

 4.1. Size:635K  dawin
dl2g100sh6a.pdfpdf_icon

DL2G100SH6N

D WTMD WTMDL2G100SH6ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsApr. 2008High Power NPT & Lugged Type Dual Co-pack IGBTDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters

Другие IGBT... VS-GT300YH120N , VS-GT400TH120N , VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N , VS-GT50TP120N , VS-GT50TP60N , VS-GT75NP120N , DL2G100SH6A , IRG7S313U , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , DM1GL75SH12A , DM2G100SH12A .

History: AOK20B65M2 | AFGHL40T65SPD | VS-20MT120UFAPBF | IXGC16N60C2 | APT20GF120KR | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.