DL2G50SH6A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DL2G50SH6A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 750 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DL2G50SH6A
DL2G50SH6A Datasheet (PDF)
dl2g50sh6a.pdf

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G50SH6A May. 2009 High Power NPT & Lugged Type Dual Co-pack IGBT Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors driv
dl2g50sh6n.pdf

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G50SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and othe
dl2g50sh12a.pdf

D WTMD WTMDL2G50SH12ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsApr. 2008High Power SPT+ & Lugged Type Dual Co-pack IGBTDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverter
Другие IGBT... VS-GT400TH120U , VS-GT400TH60N , VS-GT50TP120N , VS-GT50TP60N , VS-GT75NP120N , DL2G100SH6A , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , FGPF4533 , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , DM1GL75SH12A , DM2G100SH12A , DM2G100SH6A , DM2G100SH6N .
History: BSM600GA120DLC | NGTG50N60FLWG | 1MBI600S-120 | APTGT150DA170D1 | SGP20N60RUF | IRGP4640D | IKY75N120CH3
History: BSM600GA120DLC | NGTG50N60FLWG | 1MBI600S-120 | APTGT150DA170D1 | SGP20N60RUF | IRGP4640D | IKY75N120CH3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40