DL2G75SH6N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DL2G75SH6N
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 650 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 300 nC
Тип корпуса: MODULE
DL2G75SH6N Datasheet (PDF)
dl2g75sh6n.pdf

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DL2G75SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and othe
dl2g75sh6a.pdf

D WTMD WTMDL2G75SH6ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsApr. 2008High Power NPT & Lugged Type Dual Co-pack IGBTDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters,
dl2g75sh12a.pdf

D WTMD WTMDL2G75SH12ADAWIN ElectronicsDAWIN ElectronicsApr. 2008High Power SPT+ & Lugged Type Dual Co-pack IGBTDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 6DM-2 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverter
Другие IGBT... VS-GT75NP120N , DL2G100SH6A , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , IHW15N120R3 , DM1GL75SH12A , DM2G100SH12A , DM2G100SH6A , DM2G100SH6N , DM2G150SH12A , DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , DM2G50SH12A .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet