DM2G50SH12A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DM2G50SH12A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 610 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
DM2G50SH12A Datasheet (PDF)
dm2g50sh12a.pdf

DM2G50SH12AMar. 2008High Power SPT+ & Lugged Type IGBT ModuleDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-1 Package devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and other applications where switching
dm2g50sh6a.pdf

DM2G50SH6AApr. 2008High Power NPT & Lugged Type IGBT ModuleDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS IGBT module devices are optimized to reduce losses and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. Equivalent Circuit These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drivesand other applications where switching losses are
dm2g50sh6n.pdf

DM2G50SH6NJan. 2012High Power Rugged Type IGBT ModuleDescription Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT module devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drivesand other applications where switching losses are signif
Другие IGBT... DL2G75SH6N , DM1GL75SH12A , DM2G100SH12A , DM2G100SH6A , DM2G100SH6N , DM2G150SH12A , DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , FGH40N60SFD , DM2G50SH6A , DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690