SHD724502 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SHD724502
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
Тип корпуса: TO-258
Аналог (замена) для SHD724502
SHD724502 Datasheet (PDF)
shd724502.pdf

SHD724502 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1004, REV. A Formerly part number SHDG1025 1200 VOLT, 35 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Bre
shd724602.pdf

SENSITRONSHD724402SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 994, REV. B Formerly part number SHDG1024 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown
shd724402.pdf

SENSITRONSHD724402SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 994, REV. B Formerly part number SHDG1024 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown
shd724401.pdf

SENSITRONSHD724401 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1006, REV. - Formerly part number SHSMG1009 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 600 - - VIC
Другие IGBT... DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , RJP30E2DPP-M0 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N .
History: BSM100GAL120DLCK | AOB30B65LN2V
History: BSM100GAL120DLCK | AOB30B65LN2V



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor