VS-GB200NH120N - аналоги и описание IGBT

 

VS-GB200NH120N - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GB200NH120N

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1562 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1640 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GB200NH120N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB200NH120N даташит

 ..1. Size:156K  vishay
vs-gb200nh120n.pdfpdf_icon

VS-GB200NH120N

VS-GB200NH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 200 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FW

 6.1. Size:156K  vishay
vs-gb200lh120n.pdfpdf_icon

VS-GB200NH120N

VS-GB200LH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 200 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FW

 6.2. Size:155K  vishay
vs-gb200th120n.pdfpdf_icon

VS-GB200NH120N

VS-GB200TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 200 A FEATURES Low VCE(on) SPT+ IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-PAK Iso

 6.3. Size:194K  vishay
vs-gb200ts60npbf.pdfpdf_icon

VS-GB200NH120N

VS-GB200TS60NPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 209 A FEATURES Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast optimized for hard switching speed Low VCE(on) 10 s short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient HEXFRED antiparallel diode with ultras

Другие IGBT... VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , IRG7R313U , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , VS-GA100TS60SFPBF , VS-GA200HS60S1PBF , VS-GA200SA60UP , VS-GA200TH60S , VS-GA250SA60S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.