HGTP20N60C3 - аналоги и описание IGBT

 

HGTP20N60C3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: HGTP20N60C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HGTP20N60C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры HGTP20N60C3

 ..2. Size:140K  fairchild semi
hgt1s20n60c3s hgtp20n60c3 hgtg20n60c3.pdfpdf_icon

HGTP20N60C3

HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Data Sheet December 2001 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features This family of MOS gated high voltage switching devices 45A, 600V, TC = 25oC combining the best features of MOSFETs and bipolar 600V Switching SOA Capability transistors. These devices have the high input impedance of Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . .

 ..3. Size:260K  onsemi
hgtg20n60c3 hgtp20n60c3 hgt1s20n60c3s.pdfpdf_icon

HGTP20N60C3

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... HGTP14N40F3VL , HGTP1N120BN , HGTP1N120BND , HGTP1N120CN , HGTP1N120CND , HGTP20N35G3VL , HGTP20N60A4 , HGTP20N60B3 , GT30G124 , HGTP20N60C3R , HGTP2N120BN , HGTP2N120BND , HGTP2N120CN , HGTP2N120CND , HGTP3N60A4 , HGTP3N60A4D , HGTP3N60B3 .

History: HGTP1N120BND

 

 
Back to Top

 


 
.