VS-GB400AH120N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GB400AH120N
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GB400AH120N Datasheet (PDF)
vs-gb400ah120n.pdf

VS-GB400AH120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, 1-in-1 Package, 1200 V and 400 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Dir
vs-gb400ah120u.pdf

VS-GB400AH120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, 1-in-1 Package, 1200 V and 400 AFEATURES 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB
vs-gb400th120n.pdf

VS-GB400TH120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2 in 1 Package, 1200 V and 400 AFEATURES High short circuit capability, self limiting 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct
vs-gb400th120u.pdf

VS-GB400TH120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 400 AFEATURES 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: MMG150CE065PD6TC | IRG4MC40U
History: MMG150CE065PD6TC | IRG4MC40U



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a