Справочник IGBT. VS-GB90DA60U

 

VS-GB90DA60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GB90DA60U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 460 nC
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для VS-GB90DA60U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB90DA60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  vishay
vs-gb90da60u.pdfpdf_icon

VS-GB90DA60U

VS-GB90DA60Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 90 AFEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient Square RBSOA HEXFRED anti-parallel diodes with ultrasoft reverse recovery Fully isolated package Very low internal inductance ( 5 nH typical)SOT-227 Industry st

 5.1. Size:322K  vishay
vs-gb90da120u.pdfpdf_icon

VS-GB90DA60U

VS-GB90DA120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 90 AFEATURES NPT Gen 5 IGBT technology Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated package Very low internal inductance ( 5 nH typical)SOT-227 Industry standard outline UL appro

 7.1. Size:291K  vishay
vs-gb90sa120u.pdfpdf_icon

VS-GB90DA60U

VS-GB90SA120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 90 AFEATURES NPT Gen 5 IGBT technology Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated package Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outlineSOT-227 UL approved file E78996 Material categorization:

 9.1. Size:145K  vishay
vs-gb55la120ux.pdfpdf_icon

VS-GB90DA60U

VS-GB55LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 AFEATURES NPT Generation V IGBT technology Square RBSOA HEXFRED clamping diode Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated package Speed 8 kHz to 60 kHzSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard

Другие IGBT... VS-GB75LA60UF , VS-GB75LP120N , VS-GB75NA60UF , VS-GB75TP120N , VS-GB75TP120U , VS-GB75YF120N , VS-GB75YF120UT , VS-GB90DA120U , FGL60N100BNTD , VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , VS-ENQ030L120S , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H .

History: IRGB4620D | IXGT60N60C3D1 | NGTG40N120FL2WG | IXGT40N60B2D1 | IKP20N65H5 | NCE100ED65VT4 | NGD18N45CLBT4G

 

 
Back to Top

 


 
.