Справочник IGBT. F3L200R12W2H3_B11

 

F3L200R12W2H3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L200R12W2H3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L200R12W2H3_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L200R12W2H3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1161K  infineon
 f3l200r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L200R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRM

 7.1. Size:1053K  infineon
 f3l200r07pe4.pdf pdf_icon

F3L200R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-F3L200R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and 4 diode andNTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Preliminary Data

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: TGAN20N150FD | NGTB20N120L | IXGH40N120C3D1 | IXGH4N250C | IXGT35N120C | IXYH120N65B3 | APT54GA60B

 

 
Back to Top

 


 
.