F4-150R12KS4 - аналоги и описание IGBT

 

F4-150R12KS4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F4-150R12KS4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F4-150R12KS4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-150R12KS4 даташит

 ..1. Size:518K  infineon
 f4-150r12ks4.pdf pdf_icon

F4-150R12KS4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-150R12KS4 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 60 C, T = 150 C I 150 A C vj max C nom Continuous DC collector c

Другие IGBT... F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , FGPF4533 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 .

History: FF200R12KS4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.