F4-30R06W1E3 - аналоги и описание IGBT

 

F4-30R06W1E3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F4-30R06W1E3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F4-30R06W1E3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-30R06W1E3 даташит

 ..1. Size:747K  infineon
 f4-30r06w1e3.pdf pdf_icon

F4-30R06W1E3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-30R06W1E3 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters In

Другие IGBT... F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , RJP63K2DPP-M0 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 .

History: JNG40T120HI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.