FD1000R33HE3-K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FD1000R33HE3-K
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1000 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.55 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 550 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FD1000R33HE3-K Datasheet (PDF)
fd1000r33he3-k.pdf

FD1000R33HE3-KIHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 3300VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Motorantrie
fd1000r33hl3-k.pdf

FD1000R33HL3-KIHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 3300VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Motorantriebe Motor dr
fd1000r17ie4d b2.pdf

/ Technical InformationIGBT-FD1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 and NTCPrimePACK3 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications
fd1000r17ie4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD1000R17IE4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistung
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: AUIRGP35B60PD-E | APTGF50DU120T | SKM300GB124D | IXGH28N60BD1 | 6MBP50VAA060-50 | IKQ100N60TA | STGW40M120DF3
History: AUIRGP35B60PD-E | APTGF50DU120T | SKM300GB124D | IXGH28N60BD1 | 6MBP50VAA060-50 | IKQ100N60TA | STGW40M120DF3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r