Справочник IGBT. FF200R06YE3

 

FF200R06YE3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF200R06YE3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 515 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FF200R06YE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  infineon
ff200r06ye3.pdfpdf_icon

FF200R06YE3

/ Technical InformationIGBT-FF200R06YE3IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 600 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 50C, T = 175C I 200 AC vj max C nomCo

 6.1. Size:463K  infineon
ff200r06ke3.pdfpdf_icon

FF200R06YE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R06KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vvj CESColle

 8.1. Size:339K  infineon
ff200r33kf2c.pdfpdf_icon

FF200R06YE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R33KF2CIGBT-ModuleVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C 3300vjV VCESCollector-emitter voltage T = -25C 3300vjKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContin

 8.2. Size:630K  infineon
ff200r12ks4.pdfpdf_icon

FF200R06YE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AUIRGP35B60PD | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | TT025N120FQ | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | DAZF150G120SCA

 

 
Back to Top

 


 
.