Справочник IGBT. FF225R12ME3

 

FF225R12ME3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF225R12ME3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FF225R12ME3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FF225R12ME3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  infineon
 ff225r12me3.pdf pdf_icon

FF225R12ME3

/ Technical InformationIGBT-FF225R12ME3IGBT-modulesEconoDUAL Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1200 V

 4.1. Size:582K  infineon
 ff225r12me4p.pdf pdf_icon

FF225R12ME3

FF225R12ME4PEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe

 4.2. Size:897K  infineon
 ff225r12me4 b11.pdf pdf_icon

FF225R12ME3

/ Technical InformationIGBT-FF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HEpressfitNTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC no

 4.3. Size:694K  infineon
 ff225r12me4-b11.pdf pdf_icon

FF225R12ME3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendunge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 , FF200R17KE3 , FF200R17KE4 , FF200R33KF2C , IHW40T60 , FF225R12ME4 , FF225R12ME4_B11 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 , FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 .

 

 
Back to Top

 


 
.