Справочник IGBT. FF100R12RT4

 

FF100R12RT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF100R12RT4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 555 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FF100R12RT4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FF100R12RT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  infineon
 ff100r12rt4.pdf pdf_icon

FF100R12RT4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrich

 5.1. Size:295K  cn marching-power
 mpff100r12rb.pdf pdf_icon

FF100R12RT4

MPFF100R12RB 1200V 100A IGBT IGBT 10s IGBT

 6.1. Size:446K  infineon
 ff100r12yt3.pdf pdf_icon

FF100R12RT4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12YT3IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 100 AC vj max C nomContinuous DC collector cu

 6.2. Size:627K  infineon
 ff100r12ks4.pdf pdf_icon

FF100R12RT4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: STGB7NC60HD

 

 
Back to Top

 


 
.