Справочник IGBT. FF1200R17KE3_B2

 

FF1200R17KE3_B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF1200R17KE3_B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FF1200R17KE3_B2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FF1200R17KE3_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:614K  infineon
 ff1200r17ke3 b2.pdf pdf_icon

FF1200R17KE3_B2

/ Technical InformationIGBT-FF1200R17KE3_B2IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C n

 2.1. Size:426K  infineon
 ff1200r17ke3.pdf pdf_icon

FF1200R17KE3_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1200R17KE3IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C nomContinuous DC collector

 4.1. Size:731K  infineon
 ff1200r17kp4-b2.pdf pdf_icon

FF1200R17KE3_B2

FF1200R17KP4_B2IHM-A /IGBT4IHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRM Potential Applications Medium voltage converters High power converters Tract

 4.2. Size:776K  infineon
 ff1200r17kp4 b2.pdf pdf_icon

FF1200R17KE3_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1200R17KP4_B2IGBT-ModuleIHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power Converters Mittelspannu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , FF1200R17KE3 , FGW75N60HD , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , FF150R12KS4 , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G , FF150R12ME3G , FF150R12MS4G .

 

 
Back to Top

 


 
.