FF1400R17IP4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF1400R17IP4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9550 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FF1400R17IP4 Datasheet (PDF)
ff1400r17ip4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R17IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCPrimePACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3
ff1400r17ip4p.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R17IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
ff1400r12ip4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R12IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCPrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
ff1400r12ip4p.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R12IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: CM150RL-12NF | JNG20T60PS | IRG4BC20KD | DM2G75SH6N | IGB20N65S5 | NGD15N41A | NCE40ED75VT
History: CM150RL-12NF | JNG20T60PS | IRG4BC20KD | DM2G75SH6N | IGB20N65S5 | NGD15N41A | NCE40ED75VT



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555