FF150R12KS4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF150R12KS4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF150R12KS4
FF150R12KS4 Datasheet (PDF)
ff150r12ks4 b2.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF150R12KS4_B2IGBT-modules62mm C-Series IGBT62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRM Typical Applications High Frequency Switching Application
ff150r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
ff150r12kt3g.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KT3GIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with the fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitt
ff150r12ke3g.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KE3GIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannun
Другие IGBT... FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , MBQ50T65FESC , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G , FF150R12ME3G , FF150R12MS4G , FF150R12RT4 , FF150R12YT3 , FF150R17KE4 , BSM100GAL120DN2 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor