FF150R12ME3G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF150R12ME3G
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FF150R12ME3G Datasheet (PDF)
ff150r12me3g.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12ME3GIGBT-modulesEconoDUAL Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-S
ff150r12ms4g.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12MS4GIGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 120
ff150r12ks4 b2.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF150R12KS4_B2IGBT-modules62mm C-Series IGBT62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRM Typical Applications High Frequency Switching Application
ff150r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: CT20VML-8 | IXDH30N120AU1 | IXXP50N60B3
History: CT20VML-8 | IXDH30N120AU1 | IXXP50N60B3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor