BSM100GB120DN2K - аналоги и описание IGBT

 

BSM100GB120DN2K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BSM100GB120DN2K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BSM100GB120DN2K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM100GB120DN2K даташит

 ..1. Size:166K  eupec
 bsm100gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM100GB120DN2K

BSM 100 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 100 GB 120 DN2 1200V 150A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2107-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage VGE

 0.1. Size:209K  eupec
 bsm100gb120dn2k.pdf pdf_icon

BSM100GB120DN2K

BSM 100 GB 120 DN2K IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 100 GB 120 DN2K 1200V 145A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2107-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage V

 2.1. Size:242K  infineon
 bsm100gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM100GB120DN2K

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM100GB120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro

 2.2. Size:229K  eupec
 bsm100gb120dlck.pdf pdf_icon

BSM100GB120DN2K

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM100GB120DLCK IGBT-modules IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 100 A DC-collector current T = 25 C, T = 150 C I 205 A Periodischer Kollektor Spitzen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FF150R12RT4 , FF150R12YT3 , FF150R17KE4 , BSM100GAL120DN2 , BSM100GAR120DN2 , BSM100GB120DLC , BSM100GB120DLCK , BSM100GB120DN2 , FGH40N60UFD , BSM100GB170DLC , BSM100GB170DN2 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 .

History: BSM50GD120DLC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.