BSM50GD120DN2E3226 - аналоги и описание IGBT

 

BSM50GD120DN2E3226 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BSM50GD120DN2E3226

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BSM50GD120DN2E3226

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM50GD120DN2E3226 даташит

 0.1. Size:444K  eupec
bsm50gd120dn2e3226.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2E3226

-40...+125 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 BSM 50 GD 120 DN2 E3226 Geh usema e / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-02-01 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlie lich f r technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit

 1.1. Size:278K  eupec
bsm50gd120dn2.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2E3226

BSM 50 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GD 120 DN2 1200V 72A ECONOPACK 2K C67076-A2514-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-

 1.2. Size:241K  eupec
bsm50gd120dn2g.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2E3226

BSM 50 GD 120 DN2G IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GD 120 DN2G 1200V 78A ECONOPACK 3 C67070-A2521-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate

Другие IGBT... BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , BSM50GB60DLC , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , CRG40T60AN3H , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 .

History: BSM50GB170DN2 | NCE07T60BI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.