Справочник IGBT. BSM50GD120DN2G

 

BSM50GD120DN2G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM50GD120DN2G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BSM50GD120DN2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  eupec
bsm50gd120dn2g.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2G

BSM 50 GD 120 DN2GIGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2G 1200V 78A ECONOPACK 3 C67070-A2521-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate

 1.1. Size:278K  eupec
bsm50gd120dn2.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2G

BSM 50 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2 1200V 72A ECONOPACK 2K C67076-A2514-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-

 1.2. Size:444K  eupec
bsm50gd120dn2e3226.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2G

-40...+1252006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-01BSM 50 GD 120 DN2 E3226Gehusemae / SchaltbildPackage outline / Circuit diagramm9 2006-02-01Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit

 3.1. Size:59K  eupec
bsm50gd120dlc.pdfpdf_icon

BSM50GD120DN2G

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM50GD120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 85 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: 2MBI150N-120

 

 
Back to Top

 


 
.