Справочник IGBT. BSM50GD170DL

 

BSM50GD170DL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM50GD170DL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BSM50GD170DL

 

 

BSM50GD170DL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  eupec
 bsm50gd170dl.pdf

BSM50GD170DL BSM50GD170DL

European Power-Semiconductor andElectronics CompanyMarketing InformationBSM 50 GD 170 DL118.1194.5119121.599.94 x 19.05 = 76.219.05 3.8119 1817 16 151 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 123.81 1.15x1.015.245 x 15.24 =76.2110connections to be made externally21131 592 6 101917153 11748 12201401.07.1998BSM 50 GD 170 DL vorlufige DatenH

 6.1. Size:278K  eupec
 bsm50gd120dn2.pdf

BSM50GD170DL BSM50GD170DL

BSM 50 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2 1200V 72A ECONOPACK 2K C67076-A2514-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-

 6.2. Size:59K  eupec
 bsm50gd120dlc.pdf

BSM50GD170DL BSM50GD170DL

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM50GD120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 85 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

 6.3. Size:241K  eupec
 bsm50gd120dn2g.pdf

BSM50GD170DL BSM50GD170DL

BSM 50 GD 120 DN2GIGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2G 1200V 78A ECONOPACK 3 C67070-A2521-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate

 6.4. Size:444K  eupec
 bsm50gd120dn2e3226.pdf

BSM50GD170DL BSM50GD170DL

-40...+1252006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-01BSM 50 GD 120 DN2 E3226Gehusemae / SchaltbildPackage outline / Circuit diagramm9 2006-02-01Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit

Другие IGBT... BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , BSM50GB60DLC , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , FGA25N120ANTD , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V .

 

 
Back to Top