Справочник IGBT. BSM50GD170DL

 

BSM50GD170DL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: BSM50GD170DL

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 480

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 100

Корпус: MODULE

Аналог (замена) для BSM50GD170DL

 

 

BSM50GD170DL Datasheet (PDF)

1.1. bsm50gd170dl.pdf Size:145K _igbt_a

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3.81 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally 21 13 1 5 9 2 6 10 19 17 15 3 11 7 4 8 12 20 14 01.07.1998 BSM 50 GD 170 DL vorläufige Daten H

2.1. bsm50gd120dn2g.pdf Size:241K _igbt_a

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

BSM 50 GD 120 DN2G IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GD 120 DN2G 1200V 78A ECONOPACK 3 C67070-A2521-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 kΩ 1200 Gate

2.2. bsm50gd120dn2.pdf Size:278K _igbt_a

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

BSM 50 GD 120 DN2 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GD 120 DN2 1200V 72A ECONOPACK 2K C67076-A2514-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 kΩ 1200 Gate-

 2.3. bsm50gd120dn2e3226.pdf Size:444K _igbt_a

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

-40...+125 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 2006-02-01 BSM 50 GD 120 DN2 E3226 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-02-01 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit

2.4. bsm50gd120dlc.pdf Size:59K _igbt_a

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM50GD120DLC IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 °C IC,nom. 50 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 °C IC 85 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Другие IGBT... BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , BSM50GB60DLC , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , HGTG30N60A4 , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V .

Back to Top

 


BSM50GD170DL
  BSM50GD170DL
  BSM50GD170DL
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top