SII100N12 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SII100N12
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SII100N12
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SII100N12 даташит
sii100n12.pdf
SII100N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 145(100) TC= 25(80)oC A ICRM 290(200) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 700 W o _ _ TVj,(Tstg) TOPERATION
sii100n06.pdf
SII100N06 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter VCES 600 V IC 130(100) TC= 25(70)oC A ICRM 200 TC= 70oC, tP =1ms A Ptot TC= 25oC, Tvj= 150oC 445 W _ VGES +20 V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 100 A IFRM 200 tP =1ms A 2 VR
psii100-06.pdf
IGBT Module PSII 100/06* IC80 = 80 A VCES = 600 V VCE(sat)typ.= 2.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Preliminary Data Sheet S15 ECO-TOPTM 1 R15 A15 G15 N15 A7 V12 V9 A9 V13 V10 D1 K1 Q1 A1 N1 G1 U1 V1 typical picture, for pin V3 V6 configuration see outline drawing IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings *NTC optional VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V
Другие IGBT... SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , IRG7R313U , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 .
History: VS-GB50LA120UX | NGTB45N60S1WG | STGB19NC60W | SRE50N120FSUS7T4 | STGWT40H65DFB | SRE30N065FSUDG
History: VS-GB50LA120UX | NGTB45N60S1WG | STGB19NC60W | SRE50N120FSUS7T4 | STGWT40H65DFB | SRE30N065FSUDG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844




