Справочник IGBT. SII100N12

 

SII100N12 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SII100N12
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SII100N12

 

 

SII100N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  sirectifier
 sii100n12.pdf

SII100N12 SII100N12

SII100N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 145(100) TC= 25(80)oC AICRM 290(200) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 700 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION

 7.1. Size:1098K  sirectifier
 sii100n06.pdf

SII100N12 SII100N12

SII100N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 130(100) TC= 25(70)oC AICRM 200 TC= 70oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 445 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 100 AIFRM200 tP =1ms A2VR

 8.1. Size:480K  powersem
 psii100-12.pdf

SII100N12 SII100N12

IGBT Module IC80 = 90 APSII 100/12*VCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAVCE(sat)typ. = 2.8 VPreliminary Data SheetS15ECO-TOPTM 1R15A15 G15N15A7 V12V9A9 V13 V10D1K1 Q1A1G1 N1U1V1typical picture, for pinV3 V6configuration see outlineIGBTsdrawing*NTC optionalSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V

 8.2. Size:459K  powersem
 psii100-06.pdf

SII100N12 SII100N12

IGBT Module PSII 100/06* IC80 = 80 AVCES = 600 VVCE(sat)typ.= 2.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary Data SheetS15ECO-TOPTM 1R15A15 G15N15A7 V12V9A9 V13V10D1K1 Q1A1N1G1U1V1typical picture, for pinV3 V6configuration see outlinedrawingIGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings*NTC optionalVCES TVJ = 25C to 150C 600 V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top