MMIX1G120N120A3V1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MMIX1G120N120A3V1 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 655 pF
Тип корпуса: PLASTIC-24PIN
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MMIX1G120N120A3V1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MMIX1G120N120A3V1 даташит
mmix1g120n120a3v1.pdf
Advance Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V MMIX1G120N120A3V1 IGBT w/ Diode IC110 = 105A VCE(sat) 2.2V (Electrically Isolated Tab) C Ultra-Low-Vsat PT IGBT for 3kHz Switching G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V Isolated Tab VGES Continuous 20 V C VGEM Tr
mmix1g75n250.pdf
Advance Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V MMIX1G75N250 IC90 = 65A For Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9V Applications ( Electrically Isolated Tab) C G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V E VCES TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 20 V Isolated Tab VGEM Transient 30 V C IC25
mmix1g320n60b3.pdf
Advance Technical Information GenX3TM 600V VCES = 600V MMIX1G320N60B3 IC25 = 400A IGBT VCE(sat) 1.50V Medium-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 5-40 kHz Switching C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V Isolated Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 4
Другие IGBT... SII200N06, SII200N12, SII300N06, SII50N06, SII75N06, SII75N12, MMIX1B15N300C, MMIX1B20N300C, FGPF4633, MMIX1X200N60B3, MMIX1X200N60B3H1, MMIX1X340N65B4, MMIX1Y100N120C3H1, MMIX1Y82N120C3H1, MMIX2S50N60B4D1, MMIX4B22N300, SIGC03T60E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695



