Справочник IGBT. RJP30H2A

 

RJP30H2A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: RJP30H2A

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

Корпус: TO263

Аналог (замена) для RJP30H2A

 

 

RJP30H2A Datasheet (PDF)

1.1. rjp30h2dpk-m0 rjp30h2a.pdf Size:226K _update

RJP30H2A
RJP30H2A

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 / RJP30H2A R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features  Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)  Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ  High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ  Low leak current: ICES = 1 A max Outline

3.1. r07ds0467ej rjp30h2dpk.pdf Size:160K _renesas

RJP30H2A
RJP30H2A

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features ? Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ ? High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ ? Low leak current: ICES = 1 ?A max Outline RENESAS Package co

3.2. rjp30h2dpk-m0.pdf Size:129K _igbt

RJP30H2A
RJP30H2A

 Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features  Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)  Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ  High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ  Low leak current: ICES = 1 A max Outline RENES

Другие IGBT... AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , SGW10N60A , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D .

 

 
Back to Top

 


RJP30H2A
  RJP30H2A
  RJP30H2A
  RJP30H2A
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: MGD633 | IKW30N65WR5 | 2PG001 | FGT612 | FGT412 | FGT313 | FGT312 | FGM603 | GT40WR21 | FGH30S130P |
 

 

 

 

Back to Top