MBQ40T120FES - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MBQ40T120FES

Маркировка: 40T120FES

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 357

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 55

Емкость коллектора (Cc), pf: 206

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MBQ40T120FES

MBQ40T120FES Datasheet (PDF)

1.1. mbq40t120fes.pdf Size:1275K _update_igbt

 MBQ40T120FES High speed FieldStop Trench IGBT Features General Description  High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field  V = 2.0V @ I = 40A Stop Trench IGBT Technology, which provides low V , CE(sat) C CE(SAT) high switching performance and excellent quality.  High Input Impedance  trr = 100ns (typ.) This de

Другие IGBT... FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , STGW20NC60VD , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC .