AOT15B65M1 - аналоги и описание IGBT

 

AOT15B65M1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOT15B65M1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для AOT15B65M1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOT15B65M1 даташит

 ..1. Size:556K  aosemi
 aot15b65m1 aob15b65m1.pdf pdf_icon

AOT15B65M1

AOT15B65M1/AOB15B65M1 TM 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 15A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

 ..2. Size:1328K  aosemi
 aot15b65m1.pdf pdf_icon

AOT15B65M1

AOT15B65M1/AOB15B65M1 TM 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 15A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

 5.1. Size:654K  aosemi
 aot15b65mq1.pdf pdf_icon

AOT15B65M1

AOT15B65MQ1/AOB15B65MQ1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables hig

 5.2. Size:553K  aosemi
 aot15b65m3.pdf pdf_icon

AOT15B65M1

AOT15B65M3 TM 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) Technology 650V 650V Breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.95V C) High efficient Turn-On di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , FGH40N60UFD , AOB15B65M1 , GT60M104 , FGB40N60SM , IHW20N120R2 , 1MBI100U4F-120L-50 , 1MBI1200U4C-120 , 1MBI1200U4C-170 , 1MBI1200UE-330 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.