1MBI600LN-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MBI600LN-060
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 800 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI600LN-060
1MBI600LN-060 Datasheet (PDF)
1mbi600v-120-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI600V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 600A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact
1mbi600u4b-120.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.MiyashitaMar. 09 05T.Miyasaka Y.SekiMar. 09 05 1MS5F606213K.Yamada 4 4 .
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405