Справочник IGBT. 1MBI600LN-060

 

1MBI600LN-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI600LN-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 800 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI600LN-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1021K  fuji
1mbi600ln-060.pdfpdf_icon

1MBI600LN-060

 6.1. Size:132K  fuji
1mbi600lp-060.pdfpdf_icon

1MBI600LN-060

 7.1. Size:252K  fuji
1mbi600v-120-50.pdfpdf_icon

1MBI600LN-060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI600V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 600A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

 7.2. Size:1029K  fuji
1mbi600u4b-120.pdfpdf_icon

1MBI600LN-060

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.MiyashitaMar. 09 05T.Miyasaka Y.SekiMar. 09 05 1MS5F606213K.Yamada 4 4 .

Другие IGBT... 1MBI400NA-120 , 1MBI400NN-120 , 1MBI400NP-120 , 1MBI400S-120 , 1MBI400U4-120 , 1MBI400V-120-50 , 1MBI50FE-060 , 1MBI50L-060 , GT30F133 , 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 .

History: ISL9V3036D3S

 

 
Back to Top

 


 
.